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可控硅,门极触发电流,门极压降,触发电阻,触发脉冲宽度的选择。

2014-8-5 15:46:18      点击:
• 门极参数的选用:  
门极触发电流—为了使可控硅可靠触发,触发电流Igt选择25度时max值的α倍,α为门极触发电流—结温特性系数,查数据手册可得,取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要,通常α取大于1.5倍即可。
  
门极压降—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数,查数据手册可得,取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要,通常β取1~1.2倍即可。
  
触发电阻—Rg=(Vcc-Vgt)/Igt
  
触发脉冲宽度—为了导通闸流管(或双向可控硅),除了要门极电流≧IGT ,还要使负载电流达到≧IL(擎住电流),并按可能遇到的最低温度考虑。因此,可取25度下可靠触发可控硅的脉冲宽度Tgw的2倍以上。
  
在电子噪声充斥的环境中,若干扰电压超过触发电压VGT,并有足够的门极电流,就会发生假触发,导致双向可控硅切换。第一条防线是降低临近空间的杂波。门极接线越短越好,并确保门极驱动电路的共用返回线直接连接到TI 管脚(对闸流管是阴极)。若门极接线是硬线,可采用螺旋双线,或干脆用屏蔽线,这些必要的措施都是为了降低杂波的吸收。为增加对电子噪声的抵抗力,可在门极和T1 之间串入1kΩ或更小的电阻,以此降低门极的灵敏度。假如已采用高频旁路电容,建议在该电容和门极间加入电阻,以降低通过门极的电容电流的峰值,减少双向可控硅门极区域为过电流烧毁的可能。

• 结温Tj的控制:为了长期可靠工作,应保证Rth j-a 足够低,维持Tj不高于80%Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。