可控硅PDF参数规格书中英文对照表，参数介绍。
1、反向断态重复峰值电压（VRRM）：可控硅反向阻断时允许重复加在可控硅上最大瞬时值反向电压，包括所有的重复瞬态电压。反向断态重复峰值电压为反向不重复峰值电压（VRSM）的90%
2、正向断态重复峰值电压（VDRM）：可控硅正向阻断时允许重复加在可控硅上最大瞬时正向电压。正向断态重复峰值电压为正向断态不重复峰值电压（VDSM）的90%
3、反向重复峰值电流（IRRM）：在门极断路时，可控硅加上反向重复峰值电压时的峰值漏电流
4、断态重复峰值电流（IDRM）：在门极断路时，可控硅加上断态重复峰值电压时的峰值漏电流
5、门极触发电流（IGT）：使可控硅由断态转入通态所必需的最小门极电流
6、门极触发电压（VGT）：产生门极触发电流所必须的最小门极电压
7、通态均方根电流（IT（RMS））：通态电流在一个周期内的均方根值
8、通态平均电流（IT（AV））：通态电流在一个周期内的平均值
9、浪涌电流（ITSM）：在额定结温下，在工频正弦波半周期间元件所能承受的最大过载电流
10、通态电流临界上升率（di/dt）：在规定结温下，可控硅用门极开通时所能承受而不导致损坏的通态电流的最大通态电流上升率
11、断态电压临界上升率（dv/dt）：在额定结温和门极断路时，使元件从断态转入通态的最低电压上升率
12、峰值通态电压（VTM）：可控硅通以π倍或规定倍数额定通态平均电流值时的瞬态峰值电压
13、维持电流（IH）：在室温及门极断路时，可控硅被触发导通后，从较大的通态电流下降到维持通态所必须的最小通态电流
14、擎住电流（IL）：可控硅从断态转换到通态瞬间移除触发信号后，要保持元件维持通态所需要的最小电流。同一个可控硅，通常擎住电流IL约为维持电流IH的2~4倍。
15、额定结温（Tj）：元件在正常工作条件下所允许的最高PN结温度。
16、I2t值：浪涌电流的平方在其持续时间内的积分值。
17、门极平均值耗散功率（PG（AV））：在规定条件下，门极正向所允许的最大平均功率。
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环昕微实业
