单向可控硅的使用方法和介绍

1.单向可控硅等效结构

2.单向可控硅晶体管模型

3.单向可控硅平面和纵向结构

4.可控硅工作原理-导通

栅极悬空时，BG1 和BG2截止, , 没有电流流过负载电阻RL。 。
•  栅极输入一个正脉冲电压时 时, ,BG2 道通， VCE(BG2) 下降， VBE(BG1) 升高。
•  正反馈过程使BG1 和BG2进入饱和道通状态。
•  电路很快从截止状态进入道通状态。
•  由于正反馈的作用栅极没有触发将保持道通状态不
变。

6.可控硅工作原理-截止

• 阳极和阴极加上反向电压
•BG1 和BG2 截止。
• 加大负载电阻RL 使电路电流减少BG1 和BG2 的基电流也将减少。
• 当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用，电路翻转为截止状态。
• 这个电流为维持电流。

8.单向可控硅I-V曲线

9.单向可控硅反向特性

  条件：控制极开路，阳极加上反向电压时
•  分析：J2 结正偏，但J1、 、J2 结反偏。当J1 ，J3结 结的雪崩击穿后，电流迅速增加，如特性OR 段所示，弯曲处的电压URRM 叫反向转折电压，也叫反向重复峰值电压。
•  结果：可控硅会发生永久性反向击穿。

11.单向可控硅正向特性

条件： 控制极开路，阳极加正向电压

• 分析： J1 、 J3 结正偏，J2 结反偏，这与普通 PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，如特性 OA 段所示，弯曲处的是 UDRM 叫：正向转折电压，也叫断态重复峰值电压。

13.单向可控硅负阻特性及导通

  条件：J2 结的雪崩击穿
•  分析： J2 结的雪崩击穿后 J2结发生雪崩倍增效应， J2 结变成正偏，只要电流稍增加，
电压便迅速下降。
•  结果：出现所谓负阻特性
•  正向导通
•  条件：电流继续增加
•  分析： J1 、 J2 、 J3 三个结均处于正偏，它的特性与普通的 PN 结正向特性相似， 结果：可控硅便进入正向导电状态

15.单向可控硅触发导通

  条件：控制极G 上加入正向电压
•  分析： J3 正偏，形成触发电流 IGT 。内部形成正反馈，加上 IGT 的作用，图中的伏安特
性 OA 段左移， IGT 越大，特性左移越快。
•  结果：可控硅提前导通。

16.单向可控硅导通和关断条件

（一）从关断到导通 

1 、阳极电位高于是阴极电位
2 、控制极有足够的正向电压和电流。

两者缺一不可

（二）维持导通

1 、阳极电位高于阴极电位
2 、阳极电流大于维持电流
两者缺一不可

（三）从导通到关断

1 、阳极电位低于阴极电位
2 、阳极电流小于维持电流
任一条件即可